Rythek
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TRANSISTOR 2N7000
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Descripción
Tipo FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200mA (Ta) Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V Rds On (máx) @ Id, Vgs 5Ohm a 500mA, 10V Vgs(th) (máx) a Id 3V a 1mA Vgs (máx.) ±20V Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50 pF @ 25 V Característica de FET - Disipación de potencia (Máx.) 400mW (Ta) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Grado - Calificación - Tipo de montaje Orificio pasante Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3 Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Número de producto base 2N7000