Polaridad del transistor: N Corriente máxima Id: 8A Voltaje máximo Vds: 500 V Resistencia en estado encendido: 0,85 ohmios Voltaje de medición Rds: 10 V Voltaje máximo Vgs: 30 V Disipación de potencia: 125 W Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a +150 °C Id. de corriente continua: 8 A Temperatura nominal de potencia máxima: 25 °C Resistencia térmica de la unión a la caja A: 1 °C/W Voltaje máximo Vgs th: 4 V Disipación de potencia Pd: 125 W Corriente de pulso Idm: 28 A Tipo de transistor: MOSFET Tiempo de apagado, t Apagado: 19 ns Tiempo de encendido, t On:25ns Voltaje típico Vds: 500 V Voltaje típico Vgs th: 4 V Voltaje Vgs Rds en la medición: 10 V