IRF9530. Transistor MOSFET canal P 100V 14A 0.2O. THD capsula TO220AB Características: Tipo de transistor P-MOSFET Tecnología HEXFET® Polarización unipolar Tensión drenaje-fuente -100V Corriente del drenaje -14A Poder disipado 79W Carcasa TO220AB Tensión puerta-fuente ±20V Resistencia en estado de transferencia 0.2O Montaje THT Carga de puerta 38.7nC Clase de empaquetado tubo