MOSFET, P, -100 V, -23 A, TO-220 Polaridad del transistor: P Voltaje máximo Vds: 100 V Resistencia en estado encendido: 0,117 ohmios Disipación de potencia: 94W Estilo de caja de transistor: TO-220AB Id. de corriente continua: 19 A Temperatura actual: 25°C Marcado del dispositivo: IRF9540N Temperatura nominal de potencia máxima: 25 °C Resistencia térmica de la unión a la caja A: 1,1 °C/W Espaciado del cable: 2,54 mm Resistencia máxima en estado encendido: 0,117 ohmios Voltaje máximo Vgs th: -4 V Disipación de potencia Pd: 94 W Corriente de pulso Idm: 76 A Tipo de transistor: MOSFET Voltaje típico Vds:-100V Voltaje típico Vgs th:-4V Voltaje Vds:100V Voltaje Vgs Rds en la medición: -10 V