TRANSISTOR IRF9640 MOSFET P ENCAPSULADO TO220

Tipo de CanalP Corriente Máxima Continua de Drenaje11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V Resistencia Máxima Drenador-Fuente500 mO Tensión de umbral de puerta mínima2V Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V Tipo de EncapsuladoTO-220AB Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante Conteo de Pines3 Configuración de transistorSimple Modo de CanalMejora CategoríaMOSFET de potencia Disipación de Potencia Máxima125 W Capacitancia de Entrada Típica @Vds1200 pF a 25 V Carga Típica de Puerta @ Vgs44 nC a 10 V Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C Tiempo de Retardo de Encendido Típico14 ns Tiempo de Retardo de Apagado Típico39 ns Número de Elementos por Chip1 Ancho4.7mm Altura9.01mm Dimensiones10.41 x 4.7 x 9.01mm Longitud10.41mm Material del transistorSi